Защита диссертации Қойшыбаевы Жанымгүл Қойшыбайқызы на соискание степени доктора философии (PhD) по специальности «8D05323 - Техническая физика»
В Евразийском национальном университете имени Л.Н. Гумилева состоится защита диссертации на соискание степени доктора философии (PhD) Қойшыбаевы Жанымгүл Қойшыбайқызы на тему «Теоретическое исследование электронной структуры и оптических свойств чистых и легированных кристаллов β-Ga2O3 на основе моделирования и расчетов из первых принципов» по образовательной программе «8D05323 – Техническая физика».
Диссертация выполнена на кафедре «» Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева.
Язык защиты - на русском
Официальные рецензенты:
Сергеев Дәулет Мақсатұлы - кандидат наук, ассоциированный профессор, доцент
Жакиев Нурхат Куандыкович
Временные члены Диссертационного совета:
Алдонгаров Ануар Акылханович - доктор философии(PhD), ассоциированный профессор, Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева, доцент
Дауренбеков Дулат Хайретенович - доктор философии(PhD), ассоциированный профессор, Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева, доцент
Селиверстова Евгения Владимировна - доктор философии(PhD), ассоциированный профессор, Карагандинский государственный университет имени Е.А. Букетова, Старший научный сотрудник
Мясникова Людмила Николаевна - кандидат наук, ассоциированный профессор, Организация
Научные консультанты:
Акилбеков Абдраш Тасанович Усеинов Абай Бакытжанович
Котомин Евгений Алексеевич
Защита состоится: 4 июня 2024 года 14:00 часов в Диссертационном совете по направлению подготовки кадров «8D053 – Физические и химические науки» по специальности «8D05323 – Техническая физика» Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева. Проведение заседания диссертационного совета в онлайн формате.
Ссылка: https://clck.ru/3ARNyf
Адрес: г. Астана, ул. К.Мунайтпасова 13, №3 учебный корпус Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева.
Аннотация (рус.): Целью диссертационного исследования является теоретическое исследование влияния собственных дефектов, а также примеси железа на оптические и электронные свойства оксида галлия методом квантово-химического моделирования из первых принципов. Задачи исследования: 1. Оценить влияние одиночных и парных вакансий кристалла β-Ga2O3 на оптические и термодинамические уровни переходов, энергий образования; 2. Анализ плотности электронных состояний (DOS) для одиночных и парных вакансий кристалла β-Ga2O3; 3. Определить оптические и термодинамические уровни, энергии образования и плотность электронных состояний (DOS) кристалла β-Ga2O3, легированного Fe; 4. Исследовать спектры комбинационного рассеяния в рамках метода ТФП кристалла β-Ga2O3, легированного Fe. Методы исследования Все вычисления были выполнены в программе CRYSTAL-17 на основе теории функционала плотности (ТФП). В моделировании чистого кристалла β-Ga2O3 использовались различные негибридные и гибридные обменно-корреляционные функционалы, такие как PBE, B1WC, B3PW, B3LYP и HSE06. Кроме того, для дефектных систем использовался функционал B3LYP, а для β-Ga2O3, легированного Fe использовался нелокальный гибридный обменно-корреляционный функционал B3PW. Данные методы вычисления обеспечивают лучшее сравнение структурных и электронных свойств чистых бездефектных кристаллов с результатами наших вычислений. Основные положения, выносимые на защиту: 1. Образование нейтральной кислородной вакансии в β-Ga2O3 приводить к появлению дефектов глубокого донора с высоким потенциалом ионизации. Вакансий Ga являются достаточно глубокими акцепторами с уровнями перехода выше валентной зоны кристалла. 2. Парные вакансии VGa-VO в нейтральном состоянии обладают низким спиновым состоянием и могут образовываться вместе с одиночными вакансиями. Термическое возбуждение парных вакансий VGa-VO смещает положения донорных и акцепторных уровней в центр запрещенной зоны. 3. Легирование β-Ga2O3 атомами Fe приводит к увеличению параметров решетки. Ионы Fe могут захватывать свободные электроны из зоны проводимости. Положительная ионизация ионов Fe приводит к увеличению амплитуды 3d-уровней, а отрицательная ионизация приводит к увеличению амплитуды состояния ионов О.
Отзыв зарубежного консультанта
Заключение комиссии по этической оценке исследований
Решение диссертационного совета
Защита диссертации: https://youtu.be/7zy7wpYeDeQ
