В Евразийском национальном университете имени Л.Н. Гумилева состоится защита диссертации на соискание степени доктора философии (PhD) Кенбаева Дауржана Хаджимуратовича на тему «Радиационное дефектообразование в кристаллах BaFBr» по образовательной программе «8D05323 – Техническая физика».
Диссертация выполнена на кафедре «Технической физики» Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева.
Язык защиты - на русском
Официальные рецензенты:
Шункеев Куанышбек Шункеевич – доктор физико-математических наук, профессор, Директор научного центра «Радиационная физика материалов» Актюбинского регионального университета имени К. Жубанова, (г. Актобе, Республика Казахстан);
Сериков Тимур Маратович – доктор философии (PhD), ассоциированный профессор кафедры «Физики и нанотехнологий», Карагандинского университета имени академика Е.А. Букетова, (г. Караганда, Республика Казахстан).
Временные члены Диссертационного совета:
Ногай Адольф Сергеевич – доктор физико-математических наук, профессор кафедры «Радиотехники, электроники и телекоммуникации» Казахского агротехнического исследовательского университета имени С. Сейфуллина, (г. Астана, Республика Казахстан);
Жунусбеков Амангелді Магмурович – кандидат физико-математических наук, ассоциированный профессор кафедры «Техническая физика» ЕНУ им. Л.Н. Гумилева, (г. Астана, Республика Казахстан);
Алпысова Гульнур Кенжебековна – PhD, и.о. ассоциированного профессора, заведующий кафедры «Радиофизики и электроники» Карагандинского университета имени академика Е.А. Букетова, (г. Караганда, Республика Казахстан).
Научные консультанты:
Даулетбекова Алма Кабдиновна – кандидат физико-математических наук, профессор кафедры «Техническая физика» Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева, (г. Астана, Республика Казахстан);
Полисадова Елена Федоровна – доктор физико-математических наук, профессор отделения материаловедения Инженерной школы новых производственных технологий, ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет», (г. Томск, Российская Федерация).
Защита состоится: 30 января 2025 года 14:00 часов в Диссертационном совете по направлению подготовки кадров «8D053 – Физические и химические науки» по образовательной программе «8D05323 – Техническая физика» Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева. Проведение заседания диссертационного совета в смешанном (онлайн и офлайн) формате.
Ссылка: http://surl.li/ycbsyj
Адрес: г. Астана, ул. К. Сатпаева 2, Главный корпус, ауд. № 302.
Аннотация (рус.): Цель диссертационного исследования. Экспериментально-теоретическое исследование и сравнительный анализ закономерностей радиационных эффектов в кристаллах BaFBr облученных быстрыми тяжелыми ионами. Задачи исследования. В ходе выполнения диссертационной работы были поставлены и решены следующие частные научные задачи: Определение зависимости от дозы (флюенса) интенсивности фотолюминесценции и идентификация дефектов методом оптической абсорбционной и фотолюминесцентной спектроскопии. Изучение влияние примеси кислорода на функциональные свойства BaFBr в зависимости от флюенса и типа ионов облучения. Анализ влияния макродефектов на люминесценцию кристаллов BaFBr в зависимости от дозы и типа ионов облучения Моделирование центров окраски и сравнительный анализ параметров, полученных из теоретических расчетов и экспериментов. Описание основных результатов исследования. Основные результаты диссертационной работы состоят в следующем: - В исследованных кристаллах BaFBr, облученных ионами 147 МэВ 84Kr и ионы 24,5 МэВ 14N и длительно хранившихся в темноте, наблюдались примеси кислорода. - показано, что в спектре ФЛ присутствует широкая комплексная полоса излучения от 1,5 до 3,5 эВ, которая присутствует и в необлученном кристалле, но с меньшей интенсивность; - при увеличении флюенса до 1011 ион/см2 наблюдалось увеличение интенсивности люминесценции центров первого типа (2,5 эВ), второго типа (2,05 эВ) и третьего (2,3 эВ). Создание третьего типа приводит к смещению максимума двух других типов центров; - обнаружено, что кислородно-вакансионные центры образуются не только в процессе роста кристаллов, но и в процессе облучения БТИ. - макродефекты (хиллоки и треки) и агрегаты существенно влияют на люминесценцию кислородно-вакансионных дефектов. Впервые показано образование хиллоков и треков в кристаллах BaFBr при облучении ионами 147 МэВ 84Kr. Хиллоки могут способствовать снижению интенсивности люминесценции, особенно при увеличении флюенса, из-за рассеяния света; - из анализа РС установлена значительная аморфизация кристаллов BaFBr, облученных высокоэнергетическими ионами криптона. Анализ РС подтвердил, что кристаллы BaFBr аморфизировались ионами 147 МэВ 84Kr вследствие перекрытия треков, в отличие от образцов, облученных ионами 24,5 МэВ 14N. - Анализ спектров поглощения и комбинационного рассеяния света образцов, облученных быстрыми ионами Kr, показал образование электронных и дырочных агрегатов точечных дефектов. Сравнивая с результатами исследования агрегатных дырочных точечных дефектов в KBr, можно предположить, что полоса поглощения с максимумом 4,5 эВ связана с центрами 〖Br〗_3^-, а 5,5 эВ с ди-Н-центрами; - Использование функционалов PBE и HSE06, а также расчетов GW0 в проведенных расчетах DFT обеспечило основу для быстрого и точного моделирования дефектов и их влияния на оптические свойства кристалла.
Отзыв зарубежного консультанта
Заключение комиссии по этической оценке исследований
Решение диссертационного совета
Защита диссертации: https://www.youtube.com/watch?v=cDRIshD3DUw
