В Евразийском национальном университете имени Л.Н. Гумилева состоится защита диссертации на соискание степени доктора философии (PhD) Джунисбековой Дианы Алтаевны на тему «Темплэйтный синтез нанопроволок из полупроводниковых оксидов» по образовательной программе «8D05323 – Техническая физика».
Диссертация выполнена на кафедре «Технической физики» Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева.
Язык защиты - на русском
Официальные рецензенты:
Ногай Адольф Сергеевич – доктор физико – математических наук, профессор, Казахский агротехнический исследовательский университет имени С. Сейфуллина, профессор кафедры «Радиотехника, электроника и телекоммуникации», (г. Астана, Республика Казахстан);
Кенжина Инеш Ергазыевна – доктор философии (PhD), ассоциированный профессор, профессор – исследователь Казахского национального исследовательского технического университета имени К.И. Сатпаева, (г. Алматы, Республика Казахстан).
Временные члены Диссертационного совета:
Шункеев Куанышбек Шункеевич – доктор физико – математических наук, профессор, Актюбинский региональный университет имени К. Жубанова, директор НИЦ «Радиационная физика материалов», (г. Актобе, Республика Казахстан);
Сериков Тимур Маратович – доктор философии (PhD), Карагандинский университета имени Е.А. Букетова, ассоциированный профессор кафедры физики и нанотехнологий, (г. Караганда, Республика Казахстан);
Дауренбеков Дулат Хайретенович – доктор философии (PhD), Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева, доцент кафедры «Техническая физика», (г. Астана, Республика Казахстан).
Научные консультанты:
Даулетбекова Алма Кабдиновна – кандидат физико-математических наук, профессор, Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева, профессор кафедры «Техническая физика», (г. Астана, Республика Казахстан);
Попов Анатолий Иванович – доктор физики, PhD, профессор, Университет Латвии, ведущий научный сотрудник Института физики твердого тела, (г. Рига, Латвия).
Защита состоится: 30 января 2025 года 16:00 часов в Диссертационном совете по направлению подготовки кадров «8D053 – Физические и химические науки» по образовательной программе «8D05323 – Техническая физика» Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева. Проведение заседания диссертационного совета в смешанном (онлайн и офлайн) формате.
Ссылка: http://surl.li/ycbsyj
Адрес: г. Астана, ул. К. Сатпаева 2, Главный корпус, ауд. № 302.
Аннотация (рус.): Цель диссертационного исследования. Целью диссертационной работы является синтез нанопроволок полупроводниковых оксидов в трековом темплэйте SiO2/Si и исследование морфологических, структурных, оптических и электрофизических свойств полученных нанопроволок. Задачи исследования. Для достижения цели диссертационной работы были поставлены и решены следующие задачи: 1. Темплэйтный синтез (электрохимическое и химическое осаждение) нанопроволок оксида олова на основе трекового темплэйта SiO2/Si; 2. Изучить морфологию поверхности темплэйтов до и после осаждения методом сканирующей электронной микроскопии; 3. Получить информацию о фазовом составе нанопроволок методом рентгеноструктурного анализа (РСА); 4. Регистрировать и анализировать спектры фотолюминесценции полученных нанопроволок; 5. Измерить вольтамперные характеристики нанопроволок SnO2; 6. Квантово-химическое исследование электронной структуры нанопроволок SnO2, легированных Mg, Si и Zn, методом линейной комбинации атомных орбиталей (LCAO). Описание основных результатов исследования. Получены нанопроволоки диоксида олова (SnO2) с орторомбической кристаллической структурой методом электрохимического осаждения в трековый темплэйт SiO2/Si, при этом параметры решетки составили a = 9,97195 Å, b = 5,11601 Å и c = 5,03283 Å. Методом химического осаждения в сульфатном растворе образовалась нанопроволока SnO2 с орторомбической структурой (78%) и фазой Sn с тетрагональной кристаллической структурой (22%). В ходе анализа зонной структуры и плотности состояний было установлено что максимум валентной зоны и дно зоны проводимости находятся на Г-точке, с шириной запрещенной зоны 3,76 эВ. Спектральный анализ фотолюминесценции выявил широкую полосу излучения в диапазоне 400-600 нм, с максимумами при 2,9 эВ, 2,8 эВ, 2,58 эВ, 2,39 эВ, 2,23 эВ, 2,15 эВ, 2,1 эВ. Появление данных пиков объясняются доминирующими вакансиями кислорода, дефектами междоузлья олова или олова с поврежденными связами. Вольтамперная характеристика нанопроволок (ЭХО) показала структуру SnO2-НП/SiO2/Si с массивами p-n переходов, а ВАХ для наноструктур SnO2 (ХО) имеют нелинейную симметричную форму в прямом и обратном направлении, связанное с присутствием металлического Sn. В ходе квантово-химических расчетов выявлено, что легирующие примеси, такие как магний, кремний и цинк, существенно влияют на зонную структуру нанопроволок SnO2. Легирование магнием приводит к образованию состояний вблизи максимума валентной зоны и уменьшению ширины запрещенной зоны, что делает процесс синтеза простым. Легирование цинком, хотя и приводит к сокращению ширины запрещенной зоны, имеет более высокую энергию образования, что затрудняет его использование. Легирование кремнием, как наиболее перспективное, сохраняет широкозонные свойства и обещает улучшение электронных и оптических характеристик.
Отзыв зарубежного консультанта
Заключение комиссии по этической оценке исследований
Решение диссертационного совета
Защита диссертации: https://www.youtube.com/watch?v=DwQEIlfluVQ
