Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетінде философия докторы (PhD) дәрежесін алу үшін Джунисбекова Диана Алтаевна «8D05323 – Техникалық физика» білім беру бағдарламасы бойынша «Жартылай өткізгіш оксидтерден жасалған наносымдардың темплэйтті синтезі» тақырыбында диссертациясы қорғалады.
Диссертация Л.Н.Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетінің «Техникалық физика» кафедрасында орындалды.
Қорғау тілі - орыс тілінде
Ресми рецензенттер:
Ногай Адольф Сергеевич – физика – математика ғылымдарының докторы, профессор, С. Сейфулин атындағы Қазақ агротехникалық зерттеу университеті, «Радиотехника, электроника және телекоммуникациялар» кафедрасының профессоры, (Астана қ-сы, Қазақстан Республикасы);
Кенжина Инеш Ергазыевна – философия докторы (PhD), қауымдастырылған профессор, Қ.И. Сәтбаев атындағы Қазақ ұлттық техникалық зерттеу университетінің профессор – зерттеушісі, (Алматы қ-сы, Қазақстан Республикасы).
Диссертациялық кеңестің уақытша мүшелері:
Шункеев Куанышбек Шункеевич – физика – математика ғылымдарының докторы, профессор, Қ. Жұбанов атындағы Ақтөбе өңірлік университеті, «Материалдардың радиациалық физикасы» ҒЗО директоры, (Ақтөбе қ-сы, Қазақстан Республикасы);
Сериков Тимур Маратович – философия докторы (PhD), Е.А. Бөкетов атындағы Қарағанды университеті, Физика және нанотехнология кафедрасының қауымдастырылған профессоры, (Қарағанды қ-сы, Қазақстан Республикасы);
Дауренбеков Дулат Хайретенович – философия докторы (PhD), Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университеті, «Техникалық физика» кафедрасының доценті, (Астана қ-сы, Қазақстан Республикасы).
Ғылыми кеңесшілері:
Даулетбекова Алма Кабдиновна – физика-математика ғылымдарының кандидаты, профессор, Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университеті, «Техникалық физика» кафедрасының профессоры, (Астана қ-сы, Қазақстан Республикасы);
Попов Анатолий Иванович – физика докторы, PhD, профессор, Латвия университеті, Қатты денелер физикасы институтының жетекші ғылыми қызметкері, (Рига қ-сы, Латвия).
Қорғау 2025 жылғы 30 қаңтар, сағат 16:00-де Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетінің «8D05323 – Техникалық физика» білім беру бағдарламасы бойынша «8D053 – Физикалық және химиялық ғылымдар» кадрларды даярлау бағыты бойынша диссертациялық кеңесте өтеді. Диссертациялық кеңес мәжілісі аралас (оффлайн және онлайн) форматта өткізіледі.
Сілтемесі: http://surl.li/ycbsyj
Мекен-жайы: Астана қ., Қ. Сәтбаев көшесі, 2, № 302 ауд.
Аңдатпа (қаз.): Диссертациялық зерттеудің мақсаты. Диссертациялық жұмыстың мақсаты SiO2/Si тректік темплэйтінде жартылай өткізгіш оксидтерден жасалған наносымдарды синтездеу және алынған наносымдардың морфологиялық, құрылымдық, оптикалық және электрофизикалық қасиеттерін зерттеу. Зерттеу міндеттері. Диссертациялық жұмыстың мақсатына жету үшін келесі міндеттер қойылды және шешілді: 1. SiO2/Si тректік темплэйті негізінде қалайы оксидінің наносымдарының темплэйттік синтезі (электрохимиялық және химиялық тұндыру); 2. Сканерлеуші электронды микроскопия әдісі арқылы тұндыруға дейінгі және кейінгі темплэйттердің беттік морфологиясын зерттеу; 3. Рентгендік құрылымдық талдау (РҚТ) көмегімен наносымдардың фазалық құрамы туралы ақпарат алу; 4. Алынған наносымдардың фотолюминесценция спектрлерін тіркеу және талдау; 5. SnO2 наносымдарының вольтамперлік сипаттамаларын өлшеу; 6. Атом орбитальдарының сызықтық комбинациясы (LCAO) әдісімен Mg, Si және Zn легирленген SnO2 наносымдарының электрондық құрылымын кванттық-химиялық зерттеу. Зерттеудің негізгі нәтижелерінің сипаттамасы. Орторомбты кристалдық құрылымы бар қалайы диоксиді (SnO2) наносымдары SiO2/Si тректік темплэйтінде электрохимиялық тұндыру арқылы алынды, тор параметрлері a = 9,97195 Å, b = 5,11601 Å және c = 5,0328 Å болды. Орторомбты құрылымы (78%) бар SnO2 наносымдары және тетрагональды кристалдық құрылымы бар Sn фазасы (22%) сульфат ерітіндісінде химиялық тұндыру арқылы пайда болды. Аймақтық құрылымы мен күйлердің тығыздығын талдау кезінде валенттік аймақтың максимумы және өткізгіштік аймақтың төменгі бөлігі Г нүктесінде орналасып, тыйым салынған аймақ ені 3,76 эВ болатыны анықталды. Фотолюминесценцияның спектрлік талдауы 2,9 эВ, 2,8 эВ, 2,58 эВ, 2,39 эВ, 2,23 эВ, 2,15 эВ, 2,1 эВ максимумдары бар 400-600 нм диапазонында кең сәулелену жолағын анықтады. Бұл шыңдардың пайда болуы доминантты оттегі вакансияларымен, қалайы немесе байланыстары зақымдалған қалайының интерстициалды ақауларымен түсіндіріледі. Наносымдардың вольтамперлік сипаттамасы (ЭХТ) p-n өткелдерінің массивтері бар SnO2-НС/SiO2/Si құрылымын көрсетті, ал SnO2 наноқұрылымдары үшін вольтамперлік сипаттамалары (ХТ) тура және кері бағытта сызықты емес симметриялы пішінге ие, ол металдық Sn болуымен байланысты. Кванттық - химиялық есептеулер магний, кремний және мырыш сияқты легирлейтін қоспалардың SnO2 наносымдарының аймақтық құрылымына айтарлықтай әсер келтіретінің анықтады. Магниймен легирлеу валенттік аймақтың максимумына жақын жерде күйлердің пайда болуына және тыйым салынған аймақ енінің төмендеуіне әкеледі, бұл синтез процесін қарапайым етеді. Мырышпен легирлеу, тыйым салынған аймақ енінің тарылуына әкелсе де, түзілу энергиясы жоғары, бұл оны қолдану барысын қиындатады. Кремниймен легирлеу ең перспективалы болып табылады, осы кезде кең аймақты қасиеттері сақталады және электрондық, оптикалық сипаттамаларды жақсартуға мүмкіндік береді.
Зерттеулерді этикалық бағалау жөніндегі комиссияның қорытындысы
Диссертациялық кеңестің шешімі
Диссертация қорғауының бейнежазбасы: https://www.youtube.com/watch?v=DwQEIlfluVQ
